Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs

W. Orellana, A. C. Ferraz

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Resumen

Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes were investigated in gallium arsenide. The formation of strong NAs-H bond was found when a single hydrogen atom was incorporated in the lowest-energy bond centered (BC) position. The electronic structure of this complex showed the passivation of the gap level restoring the GaAs band gap.

Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)3816-3818
Número de páginas3
PublicaciónApplied Physics Letters
Volumen81
N.º20
DOI
EstadoPublicada - 11 nov. 2002

Áreas temáticas de ASJC Scopus

  • Física y astronomía (miscelánea)

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