First-principles DFT + GW study of the Te antisite in CdTe

Mauricio A. Flores, Walter Orellana, Eduardo Menéndez-Proupin

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Formation energies, charge transitions levels, and quasiparticle defect states of the tellurium antisite (TeCd) in CdTe are addressed within the DFT + GW formalism. We find that (TeCd) induces a (+2/0) deep level at 0.99 eV above the valence band maximum, exhibiting a negative-U effect. Moreover, the calculated zero-phonon line for the excited state of (TeCd)0 corresponds closely with the ∼1.1 eV band, visible in both luminescence and absorption experiments. Our results differ from previous theoretical studies, mainly due to the well-known band gap error and the incorrect position of the band edges predicted by standard DFT calculations.

Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)176-182
Número de páginas7
PublicaciónComputational Materials Science
EstadoPublicada - 1 dic 2016

Áreas temáticas de ASJC Scopus

  • Informática (todo)
  • Química (todo)
  • Ciencia de los materiales (todo)
  • Mecánica de materiales
  • Física y astronomía (todo)
  • Matemática computacional

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