Annealing effects in hydrogenated amorphous silicon layers

A. Hempel, A. Dabrowski, M. Härting, M. Hempel, D. Knoesen, W. Bauer-Kugelmann, G. Kögel, W. Triftshäuser, D. T. Britton

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Resumen

The annealing behaviour of defect structures in hydrogenated amorphous silicon, produced by hot wire chemical vapour deposition (HWCVD) has been studied by pulsed and conventional positron beam techniques and X-ray diffraction. Positron lifetime measurements show a dominant component corresponding to small vacancy clusters. Doppler Broadening measurements indicate that the size and concentration of defects varies with annealing temperatures up to 400°C. This behaviour is accompanied by a change from the amorphous to a partly crystalline structure, which can be observed by X-ray diffraction studies.

Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)463-465
Número de páginas3
PublicaciónMaterials Science Forum
Volumen363-365
DOI
EstadoPublicada - 2001
Evento12th International Conference on Positron Annihilation - Munchen, Alemania
Duración: 6 ago 200012 ago 2000

Áreas temáticas de ASJC Scopus

  • Ciencia de los materiales (todo)
  • Física de la materia condensada
  • Mecánica de materiales
  • Ingeniería mecánica

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